Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Orletskyi I$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
1.

Orletskyi I. G. 
Electrical properties of Sis heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-CdZnTe [Електронний ресурс] / I. G. Orletskyi, M. I. Ilashchuk, E. V. Maistruk, M. M. Solovan, P. D. Maryanchuk, S. V. Nichyi // Ukrainian journal of physics. - 2019. - Vol. 64, № 2. - С. 164-172. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2019_64_2_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 941.87 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Parkhomenko H. P. 
Electrical and Photoelectric Properties of Organic-Inorganic Heterojunctions PEDOT:PSS/n-CdTe [Електронний ресурс] / H. P. Parkhomenko, M. M. Solovan, A. I. Mostovyi, I. G. Orletskyi, V. V. Brus // East european journal of physics. - 2021. - No 4. - С. 43-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eejph_2021_4_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 601.779 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Koziarskyi I. P. 
Mechanisms of Current Generation in Graphene/p-CdTe Schottky Diodes [Електронний ресурс] / I. P. Koziarskyi, M. I. Ilashchuk, I. G. Orletskyi, L. A. Myroniuk, D. V. Myroniuk, E. V. Maistruk, D. P. Koziarskyi, V. V. Strelchuk // Journal of nano- and electronic physics. - 2022. - Vol. 14, no. 6. - С. 06001-1-06001-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2022_14_6_3
Діоди Шотткі графен/p-CdTe було одержано на підкладках p-CdTe розпиленням водних розчинів полівінілпіролідону (PVP, (C6H9NO)n), які містять частинки багатошарового графену, механічно відлущені з графіту. Діодні властивості одержаних поверхневих бар'єрних структур графен/p-CdTe визначалися енергетичним бар'єром <$Eq phi sub k ~=~0,8> еВ, який формується у приконтактній області p-CdTe. Проаналізовано температурну залежність ВАХ та встановлено динаміку зміни висоти бар'єру з температурою та основні механізми генерації струму в досліджуваних діодах під дією прямої та зворотної напруг. В області прямого зміщення при V << 0,2 В і зворотного зміщення при - (минус) 0,5 В << V через діод перебігають рекомбінаційно-генераційні струми. Зворотний струм зумовлений процесами генерації, а прямий - рекомбінації у збідненій на основні носії заряду області p-CdTe. За вищих, як прямих, так і зворотних напруг, формування струму відбувається за рахунок тунелювання носіїв заряду через потенціальний бар'єр електричного переходу.
Попередній перегляд:   Завантажити - 736.075 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського